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國內首款,中國電科成功研發MEMS磁通門工程化產品
來源:新聞中心
發布時間:2026年01月06日 編輯:新聞中心

  近日,中國電科9所成功研發國內首款MEMS磁通門工程化產品,標志著國內高性能弱磁場傳感器領域迎來里程碑式進展。

  MEMS磁通門作為一種高精度弱磁場傳感器,能夠感應到外界微弱的直流或低頻磁場,可應用于弱磁探測、測姿/導航、電流檢測等領域。科研團隊瞄準微型化集成、薄膜磁心材料、MEMS制備工藝、測試優化等科研難題,依托磁性微納工藝平臺,整合國內行業優勢資源,歷經數十輪工藝迭代,不斷突破工藝極限,攻克了薄膜磁心微米級定位、高可靠性超高厚度銅柱制備的技術難題,使磁通門傳感器尺寸縮小50%以上,將器件性能提升至全新高度,推動了高性能磁心的批量制造,解決了傳統高精度矢量傳感器體積大、功耗高、集成度低等問題,技術達到國際先進水平。

  未來,面向電子裝備集成化、智能化發展趨勢,科研團隊將深度挖掘并響應磁傳感應用各細分領域的痛點需求,著力突破專用接口芯片、智能算法等關鍵技術,提供定制化磁感知與探測解決方案,推動我國打造健康發展的高端磁傳感器核心材料、工藝、器件及應用生態系統。

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